比亞迪造芯片,掀開了車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化的新篇章
2018年是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)騰飛的一年,也是中國半導(dǎo)體技術(shù)突破的一年。全年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)生了很多大事,格芯放棄7nm工藝、造芯新勢(shì)力登上舞臺(tái)、并購案頻頻發(fā)生……如果用八個(gè)字形容行業(yè)的狀況,那就是“跌宕起伏、砥礪前行”,不管行業(yè)怎么變化,人們對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的信心并沒有變化,整個(gè)行業(yè)的前景值得期待。OFweek電子工程網(wǎng)策劃了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的2018年度盤點(diǎn)專題,通過對(duì)并購案、技術(shù)突破、風(fēng)云人物、國家動(dòng)態(tài)等總結(jié),帶大家溫習(xí)一下半導(dǎo)體這風(fēng)云變幻同時(shí)又精彩紛呈的一年。
前不久,某科研團(tuán)隊(duì)的科學(xué)家成功研發(fā)出0.7nm二硒化鎢二極管,這意味著這項(xiàng)技術(shù)可能打破半導(dǎo)體的3nm制程極限,芯片可以容納更多的二極管。這次0.7nm的二硒化鎢二極管研發(fā)成功,將為業(yè)界看衰半導(dǎo)體制程的人們一顆強(qiáng)心針,具有非常重要的意義。
2018年12月,復(fù)旦大學(xué)物理學(xué)系修發(fā)賢課題組在《自然》雜志上刊發(fā)了他們的研究成果,這也是中國科學(xué)家首次在三維空間中發(fā)現(xiàn)量子霍爾效應(yīng)。據(jù)悉,修發(fā)賢教授課題組在拓?fù)涞依税虢饘偕榛k材料里觀測(cè)到三維量子霍爾效應(yīng),通過實(shí)驗(yàn)證明電子的隧穿過程,邁出從二維到三維的關(guān)鍵一步。
2018年12月,《自然》雜志發(fā)表了一篇關(guān)于一代邏輯器件的研究論文,描述了一種由英特爾發(fā)明的磁電自旋軌道(MESO)邏輯器件,相較于目前的CMOS器件、MESO器件,有望把電壓降低5倍、能耗降低10-30倍。這項(xiàng)技術(shù)有望推動(dòng)計(jì)算能效提升,跨越不同的計(jì)算架構(gòu)促進(jìn)性能增長。
2018年11月,國家重大科研裝備研制項(xiàng)目“超分辨光刻裝備研制”通過驗(yàn)收,這個(gè)設(shè)備就是光刻機(jī),該光刻機(jī)由中國自主研制,分辨率達(dá)到了22納米,未來還能用于制造10納米級(jí)別的芯片,這是中國一項(xiàng)非常重大的技術(shù)突破。
美國研究人員領(lǐng)導(dǎo)了一項(xiàng)新科研項(xiàng)目,探索出一種涉及磁阻效應(yīng)的新型拓?fù)浣^緣體,這種拓?fù)浣^緣體將改善計(jì)算機(jī)計(jì)算與存儲(chǔ)。這種磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器正逐漸在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)領(lǐng)域應(yīng)用,這種拓?fù)浣^緣體的材料有利于進(jìn)一步改善磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)電子單元寫數(shù)據(jù)的能量效率。
2018年5月,天津大學(xué)傳來好消息,天津大學(xué)的精密測(cè)試技術(shù)及儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室龐慰團(tuán)隊(duì),成功開發(fā)出了柔性射頻濾波器,可直接應(yīng)用于柔性電子,這是我國在柔性電子設(shè)備上的一大技術(shù)突破,這門技術(shù)可實(shí)現(xiàn)柔性電子設(shè)備間的高速無線通訊。
這款傳感器能可移植并且可伸展,它非常適用于醫(yī)療行業(yè),如用這門技術(shù)為很多患者定制個(gè)性化的康復(fù)方案。應(yīng)用這門技術(shù),人們可以控制傳感器的降解,使其壽命與組織愈合時(shí)間保持統(tǒng)一,同時(shí)傳感器的靈敏度也沒影響。
。2018年8月,長春光機(jī)研制出世界上最大的口徑碳化硅單體反射鏡,標(biāo)志著我國在這個(gè)制造領(lǐng)域已經(jīng)躋身國際先進(jìn)行列。據(jù)悉,這個(gè)4m量級(jí)高精度SiC非球面反射鏡集成制造系統(tǒng)技術(shù)將應(yīng)用于國家地基大型光電系統(tǒng)。
2018年3月,中國科技部高新司在高質(zhì)量第三代半導(dǎo)體材料關(guān)鍵技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了新突破,該項(xiàng)目完成了兩英寸GaN自支撐襯底的規(guī)?;a(chǎn),實(shí)現(xiàn)了高Al組分AlGaN基深紫外光泵浦激射,開發(fā)了基于鈣鈦礦氧化物材料的紫外光電探測(cè)器件原型,為氮化鎵的早日量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)的新突破。
近年來,全球很多研究機(jī)構(gòu)開始將精力放在類腦芯片技術(shù)上,一直未能取得突破性進(jìn)展。2018年2月,麻省理工的工程師設(shè)計(jì)了一種人造突觸,可以實(shí)現(xiàn)精確控制流過這種突觸的電流強(qiáng)度,類似離子在神經(jīng)元之間的流動(dòng),這給人們?cè)O(shè)計(jì)像人腦一樣工作的芯片大有幫助。
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2018年5月,康佳半導(dǎo)體科技研發(fā)的8K圖像處理芯片在業(yè)內(nèi)引起了廣泛的關(guān)注
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